栅极长度低于 1nm 的垂直 MoS2 晶体管
“超大规模晶体管对下一代电子设备的开发很感兴趣。尽管已经报道了原子级薄的二硫化钼 (MoS 2 ) 晶体管，但栅极长度低于 1 nm 的器件的制造一直具有挑战性。在这里，我们使用石墨烯层的边缘作为栅电极展示了具有原子级薄沟道和亚 1 nm 物理栅极长度的侧壁 MoS 2晶体管。该方法使用通过化学气相沉积生长的大面积石墨烯和 MoS 2薄膜在 2 英寸晶圆上制造侧壁晶体管。这些器件具有高达 1.02 × 10 5的开/关比和低至 117 mV dec -1的亚阈值摆幅值. 模拟结果表明，MoS 2侧壁有效沟道长度在开启状态下接近0.34 nm，在关闭状态下接近4.54 nm。这项工作可以促进摩尔定律，即下一代电子产品中晶体管的按比例缩小。”
TDK：500亿日元砸向车用领域
近期，TDK公司宣布决定在北上工厂（日本岩手县北上市）建设新的MLCC工厂，以加强多层陶瓷电容器的生产。TDK表示，新工厂重点生产应用于电动汽车（EV）、自动驾驶和ADAS的高可靠性MLCC产品，计划于2023年3月开始建设，2024年6月完工，2024年9月开始量产。
目前，TDK未透露新工厂投资金额与产能信息，不过据日经新闻报道，此次TDK拟投资500亿日元（约25.7亿元）建造MLCC新工厂，预估2024年该公司整体MLCC产能将扩充至目前的2倍。同时，报道还指出，这是TDK 16年来首度兴建的电容新厂，也是TDK扩充电子零部件产能领域中金额高的一笔投资。
消费电子MOSFET面临去库存压力
月19日，据DIGITIMES报道，业内消息人士称，商用MOSFET芯片库存一直在上升，相关供应商可能从2022年第四季度开始面临减少库存的压力。
消息人士表示，在当前的宏观条件下，消费类笔记本、手机和电视的MOSFET需求已经开始放缓。这类商品MOSFET的供应商的库存水平正在上升，可能早将在今年第四季度进行库存调整。
消息人士指出，另一方面，商用和游戏PC以及其他特定用途的MOSFET需求有相对稳定的增长，特别是服务器和工业设备应用的需求有望在今年剩余的时间内继续加强。
芯片短缺让德州仪器成为焦点
集微网消息，据《华尔街日报》报道，在数字时代，一些受欢迎的设备是模拟半导体，这其中包括由拥有91年历史的德州仪器公司制造的设备，该公司以自1970年代以来一直生产的计算器而为消费者所知。
技术高管说，今年的供应链瓶颈已经影响到从iPhone到福特F-150的所有部件，在模拟芯片中尤为严重。模拟芯片处理输入的温度、声音和电流信息更像人类，具有许多层次。
其中大的模拟芯片制造商是成立于1930年的德州仪器。学生和工程师知道德州仪器的原因是它生产的手持计算器，这种计算器现在仍在生产。但其1700亿美元的市场资本是建立在其在模拟芯片中占据的主导地位。TrendForce称，德州仪器在今年的世界模拟芯片市场上占有17%到20%的份额。