3.碳化硅生核以及核的成长(产物的熔点比周围金属的熔点高的话,主要以固体形式存在)
4.碳化硅球使用后的产物粒子的凝集长大(用强脱氧元素脱氧时生成稳定的熔点高的产物,在炼钢过程中的温度下是固体的)
5.碳化硅浮或为耐火砖衬,渣层吸收效果(这样可以更好的去除脱氧产物)
3.碳化硅生核以及核的成长(产物的熔点比周围金属的熔点高的话,主要以固体形式存在)
4.碳化硅球使用后的产物粒子的凝集长大(用强脱氧元素脱氧时生成稳定的熔点高的产物,在炼钢过程中的温度下是固体的)
5.碳化硅浮或为耐火砖衬,渣层吸收效果(这样可以更好的去除脱氧产物)
因此建议,碳化硅的加入时间好是在中频炉熔融1/3炉料时,并且炉料已经化清时加入,伴随着铁液的搅拌作用,碳化硅的扩散效果会更好。笔者公司通过对比不加和加1%碳化硅的原铁液白口,检测三角试块对比(图4、图5),加入碳化硅的原铁液白口为6mm,不加碳化硅的原铁液白口为10mm。由于碳化硅经过一系列的冶金反应,反应产物中非平衡石墨可作为石墨生长的有效,降低了原铁液的白口倾向。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生产技术和器件制造水平成熟,应用广泛的宽禁带半导体材料之一,目前在已经形成了的材料、器件和应用产业链。是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低电子设备的能耗,因此碳化硅器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源器件”。碳化硅的化学元素是SIC
中国别名也叫碳化硅晶须,碳化硅分为两种,黑绿两种,都是六方晶体,所以在别名中也在碳化硅后面,添上晶须两个字。
碳化硅还有一个名字叫做金刚砂,都是在粘土中高温下二氧化碳与碳所生成的。
与金刚砂一样,还有一个名字叫做耐火砂,这个名字相对叫的人较少,比重都为3.20~3.25,硬度为2840~3320kg/mm2。
英文名字叫silicon carbide