硅的物理属性
物质状态 熔点 沸点 摩尔体积 汽化热 熔化热 蒸气压 声速
固态 1687 K(1414 °C) 3173 K(2900 °C) 12.06×10-6m3/mol 384.22 kJ/mol 50.55 kJ/mol 4.77 帕(1683K) 无数据
其他性质
电负性 比热 电导率 热导率 一电离能 第二电离能 第三电离能 第四电离能
1.90(鲍林标度) 700 J/(kg·K) 2.52×10-4 /(米欧姆) 148 W/(m·K) 786.5 kJ/mol 1577.1 kJ/mol 3231.6 kJ/mol 4355.5kJ/mol
第五电离能 第六电离能 第七电离能 第八电离能 第九电离能 第十电离能
16091 kJ/mol 19805 kJ/mol 23780 kJ/mol 29287 kJ/mol 33878 kJ/mol 38726 kJ/mol
1、高纯的单晶硅是重要的半导体材料。
2、金属陶瓷、宇宙航行的重要材料。
3、光导纤维通信,新的现代通信手段。
4、由于有机硅独特的结构,兼备了无机材料与有机材料的性能,具有表面张力低、粘温系数小、压缩性高、气体渗透性高等基本性质,并具有耐高低温、电气绝缘、耐氧化稳定性、耐候性、难燃、憎水、耐腐蚀、无毒无味以及生理惰性等优异特性,
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